规格书 |
BAT54/A/C/S Datasheet |
文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10,000 |
二极管型 | Schottky |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) | 30V |
电流 - 平均整流(Io) | 200mA |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ | 800mV @ 100mA |
速度 | Small Signal = |
反向恢复时间(trr) | 5ns |
电流 - 反向漏VR | 2µA @ 25V |
电容@ Vr,F | 10pF @ 1V, 1MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-23 |
类型 | Schottky Diode |
配置 | Single |
峰值反向重复电压 | 30 V |
峰值平均正向电流 | 0.2 A |
峰值反向恢复时间 | 5 ns |
峰值反向电流 | 2@25V uA |
峰值正向电压 | 0.8@0.1A V |
峰值不重复浪涌电流 | 0.6 A |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
峰值反向电流 | 2@25V |
峰值不重复浪涌电流 | 0.6 |
包装宽度 | 1.3 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 290 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
峰值正向电压 | 0.8@0.1A |
峰值反向重复电压 | 30 |
最低工作温度 | -55 |
峰值反向恢复时间 | 5 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
标准包装名称 | SOT-23 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 2.92 |
工作结温度 | -55 to 150 |
引脚数 | 3 |
最大连续正向电流 | 0.2 |
包装高度 | 0.93 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - Vr时反向漏电 | 2µA @ 25V |
安装类型 | Surface Mount |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 800mV @ 100mA |
电压 - ( Vr)(最大) | 30V |
热阻 | 430°C/W Ja |
电容@ Vr ,F | 10pF @ 1V, 1MHz |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
反向恢复时间(trr ) | 5ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
电流 - 平均整流(Io ) | 200mA |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
速度 | Small Signal = |
二极管类型 | Schottky |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BAT54_D87ZCT |
工厂包装数量 | 10000 |
产品 | Schottky Diodes |
产品种类 | Schottky Diodes & Rectifiers |
工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
系列 | BAT54 |
最大反向漏泄电流 | 2 uA at 25 V |
封装/外壳 | SOT-23 |
正向电压下降 | 0.8 V at 0.1 A |
峰值反向电压 | 30 V |
单位重量 | 0.002116 oz |
安装风格 | SMD/SMT |
恢复时间 | 5 ns |
RoHS | RoHS Compliant |
正向连续电流 | 0.2 A |
最大浪涌电流 | 0.6 A |
Ir - Reverse Current | 2 uA at 25 V |
trr - Reverse Recovery time | 5 ns |
宽度 | 1.3 mm |
Ifsm - Forward Surge Current | 0.6 A |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 30 V |
If - Forward Current | 0.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
最高工作温度 | + 150 C |
端接类型 | SMD/SMT |
长度 | 2.92 mm |
Vf - Forward Voltage | 0.8 V at 0.1 A |
身高 | 0.93 mm |
最低工作温度 | - 55 C |
技术 | Si |
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